请记住资料编号：GY10001-24566 资料价格:258元
1、磁性存储元件和磁性存储器
[简介]： 本套资料涉及磁性存储元件和包括该磁性存储元件的磁性存储器。所述磁性存储元件包括：基准层，其磁化方向固定为预定方向；记录层，其磁化方向由于对应于记录信息的方向上的自旋注入而变化；中间层，其将所述记录层与所述基准层...
2、磁性存储元件和磁性存储器
[简介]： 一种磁性存储介质，包含第一磁极极性初始化的伺服磁道段和记录在该第一磁极极性初始化的伺服磁道段上的基于第二磁极极性差分定时的伺服图形。基于第二磁极极性差分定时的伺服图形代表磁性编码伺服位置信息，帮助确定不包...
3、磁性存储介质、磁性存储介质盒和磁性存储介质驱动器
[简介]： 本套资料涉及一种磁性存储器件，包括：具有至少一个单元磁性层的至少一个未构造的存储介质，所述存储介质具有垂直于所述介质的平面的磁化，其特征在于，所述磁性存储器件包括磁性元件46，所述磁性元件46具有垂直于所述介质...
4、磁性存储器件，特别是用于硬盘驱动的磁性存储器件及其制造方法
[简介]：本技术公开一种磁性存储介质消磁机，包括电源、机箱、升压变压器和消磁电路，所述升压变压器和所述消磁电路均设置在机箱内，所述电源与所述升压变压器连接，所述升压变压器与所述消磁电路连接。本实用新型消除了目前涉密...
5、磁性存储介质消磁机
[简介]： 本套资料主要内容为一种磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法。在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。
6、磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法
[简介]： 一种磁性存储介质包括磁性南北伺服带段和磁性北南伺服带段。磁性南北伺服带段包括磁性南极极性初始化的伺服轨迹片段，以及记录在所述磁性南极极性初始化的伺服轨迹片段上的磁性北极极性伺服模式。磁性北南伺服带段包括磁...
7、磁性存储介质和磁性存储介质驱动器
[简介]： 本套资料提供一种磁存储器件，所述磁存储器件即使在构成磁隧道结的磁性层的厚度余量小时也能够保证恒定的隧道磁阻差。所述磁存储器件包括：第一磁性层，所述第一磁性层具有固定的磁化方向；磁化固定层，所述磁化固定层形成在第...
8、具有提高的磁性层厚度余量的磁存储器件
[简介]： 一种磁性隧道结MTJ存储元件包括钉扎层堆叠520和功能层。所述钉扎层堆叠由多个层形成，其中至少一个层包括底部钉扎层206a、206b、耦合层208和顶部钉扎层210a、210b。所述功能层540、560安置于所述底部钉扎层和或所...
9、包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法
[简介]： 本套资料涉及基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备。该垂直磁性记录介质具有非磁性基板以及形成在基板之上的磁性记录结构。该磁性记录结构至少具有软磁性底层、中间层和磁性层。所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2....
10、基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备
[简介]： 揭示用于形成磁性隧道结MTJ存储元件的方法及所形成的MTJ存储元件。所述MTJ存储元件包括MTJ堆叠，所述MTJ堆叠具有钉扎层堆叠、势垒层及*层。在所述*层上形成调整层，使得所述*层经保护不受工艺相关损坏。在所述调整...
11、磁性隧道结存储元件及其制造方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种磁性存储单元结构与磁性存储装置。该磁性存储单元结构包括第一反铁磁层。第一固定层，形成于第一反铁磁层之上。穿隧能障绝缘层，形成于第一固定层之上。*层，形成于穿隧能障绝缘层之上。金属层，形成于*...
12、磁性存储单元结构与磁性存储装置
[简介]： 得到一种垂直磁性记录介质，其中记录层具有粒状结构，保证优秀的记录再现性能，及得到优秀的耐久性。记录层包括具有主要由钴组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界的层；记录层的氧含量沿膜厚度方向变化；使在记录层与中...
13、垂直磁性记录介质和使用它的磁性存储设备
[简介]： 本套资料主要内容为一种基于固态硬盘和磁性硬盘的混合存储系统及存储方法。包括由一块或若干块磁性硬盘组成的阵列、一块或若干块固态硬盘组成的阵列以及一块存储控制器，磁性硬盘阵列和固态硬盘阵列通过存储控制器与计算机总线...
14、基于固态硬盘和磁性硬盘的混合存储系统及存储方法
[简介]： 一种磁性存储单元的写入方法，其中磁性存储单元包括磁性*迭层有双方向易轴。以磁场X轴与磁场Y轴作为参考方向，其双方向易轴基本上在磁场X轴上。此方法包括施加第一磁场在该磁场Y轴的第一方向上；施加第二磁场在该磁场X轴...
15、磁性存储单元的写入方法与磁性存储阵列结构
[简介]： 自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM位单元的磁性隧道结存储元件包括：底部电极层150；钉扎层160，其邻近于所述底部电极层；电介质层70，其包封所述底部电极层和所述钉扎层的一部分，所述电介质层包括界定邻近于...
16、磁性隧道结MTJ存储元件和具有MTJ的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM单元
[简介]： 本套资料涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、*层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔...
17、磁性结及其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器
[简介]： 本套资料提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，其中通过所述底电...
18、电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法
[简介]： 一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备，具有读取字线、写入字线、位线以及经由所述读取字线、写入字线和位线互连的多个存储器位单元，所述存储器位单元中的每一个具有被介电隧道势垒元件隔开的固定铁磁层元件和*铁磁层元件...
19、磁性随机存取存储器设备和生产磁性随机存取存储器设备的方法
[简介]： 一种用于读磁性存储介质的读出机构，包括第一和第二可变电阻元件以及读出元件。每个第一和第二可变电阻元件具有可变电阻。每个读出元件具有至少依赖于当前正在被读的介质的部分的电阻。每个读出元件的第一端和第二端分别电...
20、用于读磁性存储介质的读出机构、存储设备和方法
[简介]： 本套资料涉及一种磁性存储单元结构适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定迭层之上。一磁性*迭层位于该穿隧绝缘层之上。一磁性偏压迭层，位于...
21、形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法
22、形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法
23、磁性存储装置及其驱动方法和信息写入读取方法
24、用于销毁存储在磁性存储介质上的信息的装置
25、磁阻效应元件、磁性存储单元和磁性存储器件
26、磁性隧道结MTJ和方法以及使用其的磁性随机存取存储器MRAM
27、具有多层单元MLC数据存储能力的磁性存储单元
28、一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器
29、热促进编程的磁性存储元件方法及装置
30、包含显现强磁性隧道效应的存储元件的磁性存储装置
31、一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法
32、磁性存储器的制造方法及磁性存储器
33、三层磁性元件、其生产方法、使用这种元件的磁场传感器、磁性存储器和磁性逻辑门
34、一种具有近端写入的磁性存储器件的结构及其方法
35、磁性随机存取存储器
36、纳米磁性存储器件及其制造方法
37、磁性存储装置
38、利用自旋转换切换并存储多个位的磁性存储元件
39、半导体存储装置及磁性随机存取存储器装置
40、磁性结及其使用方法和磁存储器及系统
41、利用自旋转移的快速磁性存储器件以及其中使用的磁性元件
42、利用自旋转移的快速磁性存储器件以及其中使用的磁性元件
43、磁性存储装置
44、包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其制造方法
45、包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法
46、一种可调控介质层磁性的阻变存储器
47、磁性存储器件及其制造方法
48、磁性存储设备中的磁头飞行高度测量装置
49、一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
50、存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及制造方法
51、磁性结、磁存储器及其方法
52、具有均匀图案的磁性随机存取存储器MRAM布局
53、磁性记录介质和磁性存储设备
54、磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器
55、多位磁性存储装置及其制造和操作方法
56、一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法
57、用于自旋扭矩磁随机存取存储器中的垂直各向异性的种子层和*磁性层
58、热辅助磁性存储单元结构以及磁性随机存取存储器
59、功能元件、存储元件、磁性记录元件、太阳能电池、光电转换元件、发光元件、催化反应装置以及净化单元
61、磁性随机存储元件及其制造方法
62、磁性随机存储元件及其制造方法
63、磁性存储单元的直接写入方法与磁性存储单元结构
64、具有改进的读写容限的电流驱动切换磁性存储单元及采用该单元的磁性存储器
65、磁性记录介质和磁性存储装置
66、具有磁性驱动器的磁悬浮飞轮能量存储系统
67、温度受控、热辅助磁性存储器件
68、磁性随机存取存储器及其制造方法
69、制造磁性随机存取存储器的系统和方法
70、一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜
71、磁性赛道存储器的阵列体系结构及操作
72、应用于磁性存储介质数据销毁机中的盛物盒
73、一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器
74、磁性存储单元的结构、存取方法以及磁性存储器电路
75、一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法
76、磁性记录元件和磁性存储器
77、磁性随机存取存储器MRAM的原位电阻测量
78、存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结MTJ的方法
79、磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法
80、自旋力矩转移磁性随机存取存储器单元结构
81、磁阻隧道结磁性器件及其在磁性随机存取存储器中的应用
82、磁阻隧道结磁性器件及其在磁性随机存取存储器中的应用
83、一种用于销毁磁性存储介质上各种信息的装置
84、磁性随机存取存储器及其制造方法
85、使用非易失性磁性存储器的低电力电子系统
86、单向自旋力矩转移磁性存储器单元结构
87、包含压电应力材料的自旋力矩转移磁性随机存取存储器单元结构
88、磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法
89、设有含磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
90、用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法
91、用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法
92、抑制电源配线的磁场噪声影响的薄膜磁性体存储装置
93、设有程序元件的薄膜磁性体存储装置
94、磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
95、一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器
96、有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置
97、磁性去耦合磁存储器单元和用于减少位选择错误的位线字线
98、用于磁性随机存取存储装置的自对准导电线及其形成方法
99、基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法
100、多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置
101、磁性存储器件和方法
102、磁性存储器件和方法
103、具有一对*一条公共导线的磁性位的存储设备阵列
104、用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层
105、能按照自基准方式读出数据的薄膜磁性体存储装置
106、磁阻元件以及磁性存储器
107、设有伪单元的薄膜磁性体存储装置
108、包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
109、设有数据读出参照用伪单元的薄膜磁性体存储装置
110、数据读出数据线充电时间缩短的薄膜磁性体存储装置
111、磁性存储单元以及制造磁性存储单元的方法
112、磁阻效应元件及磁性随机存取存储器
113、通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置
114、具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置
115、磁性隧道结结构、磁性随机存取存储单元、及光掩模
116、具有冗余结构的薄膜磁性体存储装置
117、能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置
118、磁性随机存取存储器及其形成方法
119、基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
120、磁电阻元件和磁性存储器
121、磁性存储器的写入方法
122、磁性存储器的写入方法
123、磁性移位寄存存储器以及数据存取方法
124、磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器
125、磁性移位暂存存储器及其操作方法和架构
126、磁性器件和磁性存储器
127、磁阻效应器件以及使用它的磁性随机存取存储器
128、磁阻效应元件的制造方法、磁头、磁记录再生装置、及磁性存储器
129、磁性随机存取存储器
130、备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置
131、栓扣式磁性存储器的数据写入控制电路及数据写入方法
132、半导体磁性存储器
133、磁性随机存取存储单元、其写入方法及其制造方法
134、磁性存储器及其制造方法与写入方法
135、磁阻元件和磁性存储器
136、消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺
137、形成磁性随机存取存储器的磁性隧道结层的方法
138、磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器
139、读取及写入一种磁性存储器设备的系统与方法
140、用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法
141、纳米线磁性随机存取存储器
142、纳米线磁性随机存取存储器
143、一种磁性存储器装置以及其制造方法
144、磁性随机存取存储器以及操作方法
145、磁性存储器及其驱动方法、以及使用它的磁性存储器装置
146、磁性随机存取存储器及其制造方法
147、磁性存储器的资料存取方法
148、可改善写入范围的磁性随机存储器
149、磁性随机处理存储器装置
150、提供高度织构的磁阻元件和磁性存储器的方法和系统
151、磁性随机处理存储器装置
152、自旋势垒增强的磁致电阻效应元件以及使用这种元件的磁性存储器
153、自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器
154、磁性随机存取存储器
155、一种菱形的磁性随机存储器存储单元
156、带有磁性隧道结以热辅助方式写入的磁存储器及其写入方法
157、一种磁性随机存储器参考信号的产生方法
158、分析磁性随机存取存储器的设备与方法
159、用于磁性存储器应用的应力辅助电流驱动切换
160、磁性膜及其磁化反转方法和机构、及磁随机存取存储器
161、分割为多个存储器块的磁性体存储器阵列的写入电路结构
162、分割为多个存储器块的磁性体存储器阵列的写入电路结构
163、用于磁性随机存取存储器的反铁磁性耦合的双层传感器
164、用于提供具有层叠的*层的磁隧穿结元件的方法和系统以及使用这样的磁性元件的存储器
165、磁性随机防问存储器及其数据读取方法
166、磁性随机存取存储器的铁磁共振切换
167、旋转检测磁性存储器
168、用于磁性存储单元的硬件安全装置
169、利用磁性写线的MRAM的存储器
170、磁性随机存取存储器及其数据写入方法
171、在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器
172、可编程磁性存储器器件FP-MRAM
173、具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器
174、磁性隧道结器件及存储器阵列
175、薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
176、抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器
177、多位磁性存储器
178、具有串接二极管的等电压感知式磁性随机访问存储器（MRAM）
179、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
180、具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器
181、磁性随机存储器器件的成形方法
182、磁性随机存储器器件的成形方法
